Моделирование и исследование теплоэлектрических процессов в светодиодных матрицах

Раздел находится в стадии актуализации

В многокристальной светодиодной системе действуют различные механизмы теплоэлектрической обратной связи, которые приводят к неравномерному профилю температуры в конструкции. Это является причиной нагрева светодиодов, составляющих светодиодную матрицу, до критических значений температур и термомеханических напряжений, приводящих к ускорению процесса деградации и снижению расчетного срока безотказной работы прибора. В работе представлена теплоэлектрическая модель светодиодной матрицы, состоящей из n параллельно соединенных цепочек, содержащих по m последовательно соединенных кристаллов светодиодов, размещенных на монтажной пластине. Учтено перераспределение полного тока матрицы между цепочками в результате саморазогрева светодиодной матрицы. Математическое описание термоэлектрической модели включает в себя уравнение теплопроводности с соответствующими граничными условиями и выражение для зависимости силы токов, протекающих через цепочки последовательно соединенных кристаллов светодиодов, от температуры. Профиль температуры в конструкции светодиодной матрицы найден с помощью специально разработанной программы, содержащей итерационное обращение к программной среде COMSOL Multiphysics, при этом исследована сходимость применяемого расчетного алгоритма. Показано, что перераспределение тока между цепочками последовательно соединенных кристаллов светодиодов приводит к существенному увеличению неравномерности профиля температуры по поверхности светодиодной матрицы. Получена зависимость коэффициента неравномерности профиля температуры по верхней поверхности светодиодной матрицы от силы тока. Проведена экспериментальная верификация модели.
Ходаков Александр Михайлович
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, Россия, 432011, г. Ульяновск, ул. Гончарова, 48/2
Сергеев Вячеслав Андреевич
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Россия, 432011, г. Ульяновск, ул. Гончарова, 48/2; Ульяновский гос. технический ун-т, Россия, 432027, г. Ульяновск, ул. Северный Венец, 32
Фролов Илья Владимирович
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, Россия, 432011, г. Ульяновск, ул. Гончарова, 48/2
Радаев Олег Александрович
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, Россия, 432011, г. Ульяновск, ул. Гончарова, 48/2
Зайцев Сергей Александрович
АО «Ульяновское конструкторское бюро приборостроения», Россия, 432001, г. Ульяновск, ул. Крымова, 10а

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru